A meno di 10 anni dall’introduzione del primo power transistor RF completamente in plastica, Freescale ha annunciato il rilascio di oltre 30 milioni di transistor RF LdmoS ad alta potenza in package over-molded plastic.Freescale Semiconductor è stata la prima azienda del settore a sfruttare appieno tutti i vantaggi del package in plastica over-molded per i dispositivi RF ad alta potenza, che si traducono in migliore affidabilità, costi complessivi più bassi e cicli di produzione più veloci, mantenendo le stesse performance dei convenzionali packaging air cavity. Oggi Freescale offre oltre 280 dispositivi Ldmos (Laterally-Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF in over-molded plastic package, con una potenza d’uscita paragonabile a 120 W a 2 GHz.La tecnologia plastic packaging viene impiegata nei semiconduttori da oltre 20 anni. Ad oggi, le tecniche plastic packaging si sono dimostrate fattibili; a ogni modo persistono sfide tecniche per le applicazioni RF.
La sfida di andare oltre i package convenzionali fu incredibile, dal momento che queste tecnologie tradizionali dimostrarono di non avere limiti inerenti la temperatura massima di giunzione e la frequenza operativa. In corrispondenza di basse frequenze e di bassi livelli di potenza, i dispositivi plastic-packaged avrebbero potuto compensare le perdite derivanti da condizioni di dialettrica di un plastic encapsulant. Per contro, a livelli di potenza più elevati, questi effetti si dimostrarono di una certa entità e dovevano quindi essere superati per raggiungere le performance, l’affidabilità e il risparmio costi che i package in plastica promettevano di garantire.